Article Dans Une Revue
Materials Science in Semiconductor Processing
Année : 2006
Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00437287
Soumis le : lundi 30 novembre 2009-11:27:57
Dernière modification le : jeudi 24 août 2023-15:42:36
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00437287 , version 1
Citer
Abdelkrim Fedala, Rabah Cherfi, M. Aoucher, Tayeb Mohammed-Brahim. Structural, optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-Si1-xGex) deposited by DC magnetron sputtering at high rate. Materials Science in Semiconductor Processing, 2006, 9 (4-5), pp.690-693. ⟨hal-00437287⟩
Collections
63
Consultations
0
Téléchargements