Article Dans Une Revue
physica status solidi (c)
Année : 2009
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00432756
Soumis le : mardi 17 novembre 2009-11:00:52
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00432756 , version 1
Citer
E. Blanquet, D. Chaussende, A. Claudel, D. Pique, M. Pons. Influence of total pressure and precursors flow rates on the growth of aluminum nitride by high temperature chemical vapor deposition (HTCVD). physica status solidi (c), 2009, 6, pp.S348-S351. ⟨hal-00432756⟩
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