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Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00432756
Soumis le : mardi 17 novembre 2009-11:00:52
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-20:03:23
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00432756 , version 1
Citer
E. Blanquet, D. Chaussende, A. Claudel, D. Pique, M. Pons. Influence of total pressure and precursors flow rates on the growth of aluminum nitride by high temperature chemical vapor deposition (HTCVD). Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, 2009, 6, pp.S348-S351. ⟨hal-00432756⟩
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