Modélisation du contact résistif de micro-commutateurs MEMS RF
Résumé
Les principales limitations des micro-commutateurs MEMS RF à contact ohmique sont liées à la qualité, à la répétitivité du contact et à sa fiabilité. Afin de proposer de nouvelles générations de structures MEMS RF, il est important d'acquérir de meilleurs connaissances de la physique du contact pour pouvoir choisir des matériaux, une topologie et une architecture les mieux appropriés. Dans ce contexte l'outil de simulation en éléments finis est utilisé pour mesurer l'impact des matériaux constituant le contact et de chaque paramètre de design sur les caractéristiques mécaniques et électriques du contact. Dans ce papier nous présentons notamment une nouvelle approche qui combine la caractérisation de surface avec l'analyse en éléments finis pour simuler le contact entre des profils réels de surface. Cette méthode d'ingénierie inverse nous permet de mesurer l'impact de la rugosité sur la résistance de contact du micro-commutateur.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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