Article Dans Une Revue
Journal of Physical Chemistry C
Année : 2009
Monique Wehr : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00430678
Soumis le : lundi 9 novembre 2009-15:13:02
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00430678 , version 1
Citer
F. Bernsmann, A. Ponche, C. Ringwald, J. Hemmerle, J. Raya, et al.. Characterization of Dopamine-Melanin Growth on Silicon Oxide. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (19), pp.8234-8242. ⟨hal-00430678⟩
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