Characterization of Dopamine-Melanin Growth on Silicon Oxide - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physical Chemistry C Année : 2009

Characterization of Dopamine-Melanin Growth on Silicon Oxide

F. Bernsmann
  • Fonction : Auteur
A. Ponche
C. Ringwald
  • Fonction : Auteur
J. Hemmerle
  • Fonction : Auteur
J. Raya
  • Fonction : Auteur
B. Bechinger
  • Fonction : Auteur
J. C. Voegel
  • Fonction : Auteur
P. Schaaf
V. Ball
  • Fonction : Auteur

Domaines

Polymères
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00430678 , version 1 (09-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00430678 , version 1

Citer

F. Bernsmann, A. Ponche, C. Ringwald, J. Hemmerle, J. Raya, et al.. Characterization of Dopamine-Melanin Growth on Silicon Oxide. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (19), pp.8234-8242. ⟨hal-00430678⟩
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