Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs

Charlotte Sury
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
N. Defrance
Yannick Douvry
  • Fonction : Auteur
Christian Dua
  • Fonction : Auteur
Mourad Oualli
  • Fonction : Auteur
Catherine Bru-Chevallier
  • Fonction : Auteur
Jean-Marie Bluet
Walf Chikhaoui
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00401323 , version 1 (02-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00401323 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, Virginie Hoel, et al.. Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs. GaN microwave component technology workshop, Mar 2009, Ulm, Germany. ⟨hal-00401323⟩
124 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More