Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2009
Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00399303
Soumis le : vendredi 26 juin 2009-10:35:16
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00399303 , version 1
Citer
Olivier Bonnaud, Tayeb Mohammed-Brahim. Improvement of polycrystalline silicon-Based Thin Film Transistor Performances by Modifying Technological Fabrication Process. Journal of Applied Physics, 2009, 96 (1), pp.259-269. ⟨hal-00399303⟩
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