Surface analyses studies of poly-Si/metal gates etched in SF6/CH2F2 based plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00398861 , version 1 (25-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00398861 , version 1

Citer

O. Luere, L. Vallier, O. R. Joubert, T. Lill. Surface analyses studies of poly-Si/metal gates etched in SF6/CH2F2 based plasmas. Proceedings of the 29th International Symposium on Dry Process, 2007, tokyo, Japan. ⟨hal-00398861⟩
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