Plasma Etching Challenges of New Materials Involved in Gate Stack Patterning for sub 45 nm Technological Nodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00398859 , version 1 (25-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00398859 , version 1

Citer

O. R. Joubert, A. Le Gouil, R. Ramos, M. Helot, G. Cunge, et al.. Plasma Etching Challenges of New Materials Involved in Gate Stack Patterning for sub 45 nm Technological Nodes. Proceedings of the Electrochemical. Society (209th Meeting), 2006, denver, United States. ⟨hal-00398859⟩
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