Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00398300
Soumis le : mercredi 24 juin 2009-12:33:11
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00398300 , version 1
Citer
N. Khelifati, A. Tata, A. Rahal, Abdelkrim Fedala, Rabah Cherfi, et al.. The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B). 23nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2009, Utrecht, Netherlands. ⟨hal-00398300⟩
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