The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00398300 , version 1 (24-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00398300 , version 1

Citer

N. Khelifati, A. Tata, A. Rahal, Abdelkrim Fedala, Rabah Cherfi, et al.. The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B). 23nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2009, Utrecht, Netherlands. ⟨hal-00398300⟩
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