Effect of hydrogen and germanium concentrations on hydrogenated amorphous silicon germanium - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00398256 , version 1 (24-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00398256 , version 1

Citer

L. Laidoudi, A. Rahal, Abdelkrim Fedala, M. Kechouane, Tayeb Mohammed-Brahim. Effect of hydrogen and germanium concentrations on hydrogenated amorphous silicon germanium. 23nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2009, Utrecht, Netherlands. ⟨hal-00398256⟩
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