Microcrystalline silicon TFTs with silicon nitride gate dielectric deposited at low temperature (150°C) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397812 , version 1 (23-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397812 , version 1

Citer

Khaled Belarbi, Nathalie . Coulon, Claude Simon, Tayeb Mohammed-Brahim. Microcrystalline silicon TFTs with silicon nitride gate dielectric deposited at low temperature (150°C). International Thin Film Transistors Conference ITC'2009, Mar 2009, Paris, France. ⟨hal-00397812⟩
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