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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Crystallized silicon TFTs processed at T<200°C

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397794 , version 1 (23-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397794 , version 1

Citer

Tayeb Mohammed-Brahim. Crystallized silicon TFTs processed at T<200°C. International Thin Film Transistor Conference, ITC09, Mar 2009, Palaiseau, France. ⟨hal-00397794⟩
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