Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2008
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00397102
Soumis le : vendredi 19 juin 2009-15:22:48
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:26
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00397102 , version 1
Citer
R. Ramos, G. Cunge, O. R. Joubert. Plasma reactor dry cleaning strategy after TiN, TaN and HfO2 etching processes. Journal of Vacuum Science and Technology, 2008, pp.B 26 (1), (2008), 181-188. ⟨hal-00397102⟩
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