Plasma reactor dry cleaning strategy after TiN, TaN and HfO2 etching processes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2008

Plasma reactor dry cleaning strategy after TiN, TaN and HfO2 etching processes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397102 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397102 , version 1

Citer

R. Ramos, G. Cunge, O. R. Joubert. Plasma reactor dry cleaning strategy after TiN, TaN and HfO2 etching processes. Journal of Vacuum Science and Technology, 2008, pp.B 26 (1), (2008), 181-188. ⟨hal-00397102⟩
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