Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2008
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00397097
Soumis le : vendredi 19 juin 2009-15:18:03
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:38
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00397097 , version 1
Citer
T. Morel, S. Barnola, R. Ramos, A. Beaurain, E. Pargon, et al.. Tungsten metal gate etching in Cl2/O2 inductively coupled high density plasmas. Journal of Vacuum Science and Technology, 2008, pp.B 26, (2008), 1875-1882. ⟨hal-00397097⟩
122
Consultations
0
Téléchargements