Etching mechanisms of HfO2, SiO2, and poly-Si substrates in BCl3 plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2007
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Dates et versions

hal-00397068 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397068 , version 1

Citer

E. Sungauer, E. Pargon, X. Mellhaoui, R. Ramos, G. Cunge, et al.. Etching mechanisms of HfO2, SiO2, and poly-Si substrates in BCl3 plasmas. Journal of Vacuum Science and Technology, 2007, pp.B 25, (2007), 1640-1646. ⟨hal-00397068⟩
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