Towards a controlled patterning of 10 nm silicon gates in high density plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2005

Towards a controlled patterning of 10 nm silicon gates in high density plasmas

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397042 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397042 , version 1

Citer

E. Pargon, Maxime Darnon, O. Joubert, T. Chevolleau, L. Vallier, et al.. Towards a controlled patterning of 10 nm silicon gates in high density plasmas. Journal of Vacuum Science and Technology, 2005, B 23, pp.1913-1923. ⟨hal-00397042⟩
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