Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2007
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00394766
Soumis le : vendredi 12 juin 2009-14:15:50
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00394766 , version 1
Citer
C. Sire, S. Blonkowski, M. Gordon, T. Baron. Statistics of electrical breakdown field in HfO2 and SiO2 films from millimeter to nanometer length scales. Applied Physics Letters, 2007, pp.91 242905. ⟨hal-00394766⟩
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