Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering: C
Année : 2006
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00394738
Soumis le : vendredi 12 juin 2009-13:52:25
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:47
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00394738 , version 1
Citer
M. Kanoun, T. Baron, E. Gautier, A. Souifi. Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO/sub 2/ matrix for non volatile memory applications. Materials Science and Engineering: C, 2006, pp.26(2-3) March 2006, 360-3. ⟨hal-00394738⟩
55
Consultations
0
Téléchargements