Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2007
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00393545
Soumis le : mardi 9 juin 2009-15:35:07
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:22
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00393545 , version 1
Citer
G. Beylier, S. Bruyere, D. Benoit, G. Ghibaudo. Refined electrical analysis of two charge states transition characteristic of "borderless" silicon nitride. Microelectronics Reliability, 2007, 47 (4-5), pp.660-664. ⟨hal-00393545⟩
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