Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2007
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00393156
Soumis le : mardi 9 juin 2009-15:01:59
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:21:21
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00393156 , version 1
Citer
G. Beylier, S. Bruyère, G. Ghibaudo. Borderless silicon nitride defect behaviour and their influences on initial data loss in single polysilicon flash memories. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.1990-1993. ⟨hal-00393156⟩
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