Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2007
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00393091
Soumis le : mardi 9 juin 2009-14:48:59
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:17:24
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00393091 , version 1
Citer
M. Negara, K. Cherkaoui, P. Majhi, C. Young, W. Tsai, et al.. The influence of HfO2 film thickness on the interface state density and low field mobility of n channel HfO2/TiN gate MOSFETs. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.1874-1877. ⟨hal-00393091⟩
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