Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2007
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00392888
Soumis le : mardi 9 juin 2009-11:24:57
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392888 , version 1
Citer
T. Ernst, R. Ritzenthaler, O. Faynot, S. Cristoloveanu. A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54 (6), pp.1366-1375. ⟨hal-00392888⟩
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