Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00392673
Soumis le : lundi 8 juin 2009-16:48:02
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392673 , version 1
Citer
Mame Andallah Diop, N. Revil, M. Marin, F. Monsieur, P. Chevalier, et al.. Impact of inside spacer process on fully self-aligned 250 GHz SiGe:C HBTs reliability performances: a-Si vs. Nitride. Microelectronics Reliability, 2008, 48 (8-9), pp.1198-1201. ⟨hal-00392673⟩
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