Impact of inside spacer process on fully self-aligned 250 GHz SiGe:C HBTs reliability performances: a-Si vs. Nitride - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2008

Impact of inside spacer process on fully self-aligned 250 GHz SiGe:C HBTs reliability performances: a-Si vs. Nitride

Mame Andallah Diop
  • Fonction : Auteur
N. Revil
  • Fonction : Auteur
M. Marin
  • Fonction : Auteur
F. Monsieur
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur

Mots clés

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392673 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392673 , version 1

Citer

Mame Andallah Diop, N. Revil, M. Marin, F. Monsieur, P. Chevalier, et al.. Impact of inside spacer process on fully self-aligned 250 GHz SiGe:C HBTs reliability performances: a-Si vs. Nitride. Microelectronics Reliability, 2008, 48 (8-9), pp.1198-1201. ⟨hal-00392673⟩
46 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More