Quantum transport in nanowire metal-oxide-semiconductor transistors: influence of dielectric confinement - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Quantum transport in nanowire metal-oxide-semiconductor transistors: influence of dielectric confinement

M. Bescond
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
M. Lannoo
  • Fonction : Auteur
Fabienne Michelini
N. Cavassilas
  • Fonction : Auteur
M.G. Pala
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00392554

Soumis le : lundi 8 juin 2009-14:01:45

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:54:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392554 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392554 , version 1

Citer

M. Bescond, M. Lannoo, Fabienne Michelini, N. Cavassilas, M.G. Pala. Quantum transport in nanowire metal-oxide-semiconductor transistors: influence of dielectric confinement. 29th Conference on the Physics of Semiconductors, Rio de Janeiro, July 27- August 1, 2008 to be published in AIP Conference Proceedings Series, Jul 2008, -, France. ⟨hal-00392554⟩

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