Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00392485
Soumis le : lundi 8 juin 2009-11:19:06
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392485 , version 1
Citer
S. Feruglio, F. Andrieu, O. Faynot, Patrick Garda, G. Ghibaudo. Low-Temperature Electrical Characterization of eXtra-strained FD-SOI n-MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack for the 32nm Technology Node.. 8th International Workshop on Low Temperature Electronics, WOLTE 8, Jena/Gabelbach, Germany, Jun 2008, Jena, Germany. ⟨hal-00392485⟩
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