Low-Temperature Electrical Characterization of eXtra-strained FD-SOI n-MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack for the 32nm Technology Node. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Low-Temperature Electrical Characterization of eXtra-strained FD-SOI n-MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack for the 32nm Technology Node.

S. Feruglio
  • Fonction : Auteur
F. Andrieu
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
Patrick Garda
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 970182
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392485 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392485 , version 1

Citer

S. Feruglio, F. Andrieu, O. Faynot, Patrick Garda, G. Ghibaudo. Low-Temperature Electrical Characterization of eXtra-strained FD-SOI n-MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack for the 32nm Technology Node.. 8th International Workshop on Low Temperature Electronics, WOLTE 8, Jena/Gabelbach, Germany, Jun 2008, Jena, Germany. ⟨hal-00392485⟩
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