Impact of scaling on electrostatics of germanium-channel MOSFET-analytical study. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Impact of scaling on electrostatics of germanium-channel MOSFET-analytical study.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392184 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392184 , version 1

Citer

E. Batail, S. Monfray, A. Pouydebasque, G. Ghibaudo, T. Skotnicki. Impact of scaling on electrostatics of germanium-channel MOSFET-analytical study.. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, USA, Jun 2008, Honolulu, United States. ⟨hal-00392184⟩
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