Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00392072
Soumis le : vendredi 5 juin 2009-14:36:31
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392072 , version 1
Citer
K.I. Na, S. Cristoloveanu, Y.-H. Bae, W. Xiong, C.R. Cleavelin, et al.. Coupling and short-channel effect with gate-drain distance and gate lengths in triple-gate MOSFETs based on silicon-on-insulator (SOI) substrate.. Joint Meeting (214th Meeting of the Electrochemical Soc. and 2008 Fall Meeting of the Electrochemical Soc. of Japan), Symposium E1 'Solid State Divisions General Session', Honolulu, Hawaii, USA, Oct 2008, Japon, Japan. ⟨hal-00392072⟩
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