High hole mobility SGOI substrates obtained by the germanium condensation technique. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

High hole mobility SGOI substrates obtained by the germanium condensation technique.

L. Souriau
  • Fonction : Auteur
T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
E. Augendre
  • Fonction : Auteur
R. Loo
  • Fonction : Auteur
V. Terzieva
  • Fonction : Auteur
M. Caymax
  • Fonction : Auteur
M. Meuris
  • Fonction : Auteur
W. Vandervorst
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392062 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392062 , version 1

Citer

L. Souriau, T. Nguyen, E. Augendre, R. Loo, V. Terzieva, et al.. High hole mobility SGOI substrates obtained by the germanium condensation technique.. 3rd International Symposium on SiGe, Ge and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices, Joint Meeting (214th ECS Meeting and 2008 Fall Meeting of the Electrochemical Soc. of Japan), Honolulu, Hawaii, USA, Oct 2008, Honolulu, United States. pp.79-89. ⟨hal-00392062⟩
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