Article Dans Une Revue
Fluctuation and Noise Letters
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391716
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-15:20:58
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391716 , version 1
Citer
L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo. Analysis of spatial and energy slow trap profile in HfO2/SiO2 metal-oxide-silicon devices by low frequency noise measurements. Fluctuation and Noise Letters, 2008, 8, L99. ⟨hal-00391716⟩
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