Analysis of spatial and energy slow trap profile in HfO2/SiO2 metal-oxide-silicon devices by low frequency noise measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fluctuation and Noise Letters Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391716 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391716 , version 1

Citer

L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo. Analysis of spatial and energy slow trap profile in HfO2/SiO2 metal-oxide-silicon devices by low frequency noise measurements. Fluctuation and Noise Letters, 2008, 8, L99. ⟨hal-00391716⟩
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