Article Dans Une Revue
Fluctuation and Noise Letters
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00391713
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-15:18:15
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:53:38
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391713 , version 1
Citer
L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo. Modeling and simulation of coupling effect on low frequency noise in advance SOI MOSFETs.. Fluctuation and Noise Letters, 2008, 8, L87. ⟨hal-00391713⟩
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