Extraction of eta parameter characterising µ(eff) against E-eff curves in strained Si nMOS devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2008

Extraction of eta parameter characterising µ(eff) against E-eff curves in strained Si nMOS devices

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391709 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391709 , version 1

Citer

K. Bennamane, M. Demichielis, G. Ghibaudo, D. Esseni. Extraction of eta parameter characterising µ(eff) against E-eff curves in strained Si nMOS devices. Electronics Letters, 2008, 44, 1219-1220. ⟨hal-00391709⟩
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