Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391709
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-15:11:42
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391709 , version 1
Citer
K. Bennamane, M. Demichielis, G. Ghibaudo, D. Esseni. Extraction of eta parameter characterising µ(eff) against E-eff curves in strained Si nMOS devices. Electronics Letters, 2008, 44, 1219-1220. ⟨hal-00391709⟩
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