Article Dans Une Revue
Journal of the Korean Physical Society
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00391707
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-15:09:19
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391707 , version 1
Citer
J. Lee, I. Han, B.Y. Yu, G.C. Yi, G. Ghibaudo. Physical Understanding of the Hooge Parameter in ZnO Nanowire Devices.. Journal of the Korean Physical Society, 2008, 53, pp.339-342. ⟨hal-00391707⟩
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