Physical Understanding of the Hooge Parameter in ZnO Nanowire Devices. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of the Korean Physical Society Année : 2008

Physical Understanding of the Hooge Parameter in ZnO Nanowire Devices.

J. Lee
  • Fonction : Auteur
I. Han
  • Fonction : Auteur
B.Y. Yu
  • Fonction : Auteur
G.C. Yi
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391707 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391707 , version 1

Citer

J. Lee, I. Han, B.Y. Yu, G.C. Yi, G. Ghibaudo. Physical Understanding of the Hooge Parameter in ZnO Nanowire Devices.. Journal of the Korean Physical Society, 2008, 53, pp.339-342. ⟨hal-00391707⟩
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