3D nanowire gate-all-around transistors: Specific integration and electrical features - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2008

3D nanowire gate-all-around transistors: Specific integration and electrical features

C. Dupré
  • Fonction : Auteur
T. Ernst
  • Fonction : Auteur
V. Maffini-Alvaro
  • Fonction : Auteur
V. Delaye
  • Fonction : Auteur
J.-M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
S. Borel
  • Fonction : Auteur
C. Vizioz
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391692 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391692 , version 1

Citer

C. Dupré, T. Ernst, V. Maffini-Alvaro, V. Delaye, J.-M. Hartmann, et al.. 3D nanowire gate-all-around transistors: Specific integration and electrical features. Solid-State Electronics, 2008, 52, 519. ⟨hal-00391692⟩
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