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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Cracking behavior of porous C-doped ultra low k dielectrics

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00388692 , version 1 (27-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00388692 , version 1

Citer

S. Maitrejean, M. Braccini, M. Rousseau, M. Verdier, G. Passemard. Cracking behavior of porous C-doped ultra low k dielectrics. Advanced Metallization Conference, 2007, Town, United States. pp.717-722. ⟨hal-00388692⟩

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UGA CNRS SIMAP
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