« Etude de la germination et de la croissance de SiC dans le Si photovoltaïque » - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

« Etude de la germination et de la croissance de SiC dans le Si photovoltaïque »

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00388357 , version 1 (26-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00388357 , version 1

Citer

M. Beaudhuin, K. Zaidat, T. Duffar, M. Lemiti. « Etude de la germination et de la croissance de SiC dans le Si photovoltaïque ». Crystal 5, 2008, France. pp.29-38. ⟨hal-00388357⟩

Collections

UGA CNRS SIMAP
118 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More