FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00386316 , version 1 (20-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00386316 , version 1

Citer

R. Madar, M. Pons, Francis Baillet, L. Charpentier, D. Chaussende, et al.. FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE. Patent n° : US2005257734. TOP. 2005. ⟨hal-00386316⟩
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