Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00362727
Soumis le : jeudi 19 février 2009-10:53:53
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Bollaert, L. Desplanque, X. Wallart, Yannick Roelens, M. Malmkvist, et al.. Benchmarking of low band gap III-V based-HEMTs and sub-100nm CMOS under low drain voltage regime. 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.20-23, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412637⟩. ⟨hal-00362727⟩
Collections
58
Consultations
0
Téléchargements