Autre Publication Scientifique
Année : 2008
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00362090
Soumis le : mardi 17 février 2009-11:19:20
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00362090 , version 1
Citer
R. Valentin. Investigation of behavior and potentialities in high frequency range of metallic source/drain architecture for advanced MOSFET transistors. 2008. ⟨hal-00362090⟩
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