Transmission electron microscopy study of the platinum germanide formation process in the Ge/Pt/SiO2/Si structure - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Transmission electron microscopy study of the platinum germanide formation process in the Ge/Pt/SiO2/Si structure

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
V. Srot
  • Fonction : Auteur
F. Phillipp
  • Fonction : Auteur
P.A. van Aken
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361547 , version 1 (16-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361547 , version 1

Citer

A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Czerwinski, J. Katcki, V. Srot, et al.. Transmission electron microscopy study of the platinum germanide formation process in the Ge/Pt/SiO2/Si structure. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2008, Symposium I : Front-end junction and contact formation in future Silicon/Germanium based devices, 2008, Strasbourg, France. ⟨hal-00361547⟩
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