Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Dmitri Yarekha
N. Breil
  • Fonction : Auteur
N. Reckinger
  • Fonction : Auteur
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361543 , version 1 (16-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361543 , version 1

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, Dmitri Yarekha, N. Breil, N. Reckinger, et al.. Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2008, Symposium I : Front-end junction and contact formation in future Silicon/Germanium based devices, 2008, _, France. ⟨hal-00361543⟩
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