Article Dans Une Revue
Thin Solid Films
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00357298
Soumis le : vendredi 30 janvier 2009-09:02:13
Dernière modification le : jeudi 5 octobre 2023-03:39:46
Citer
C. Renard, Mathieu Halbwax, D. Cammilleri, F. Fossard, V. Yam, et al.. Ge growth over thin SiO2 by UHV-CVD for MOSFET applications. Thin Solid Films, 2008, 517, pp.401-403. ⟨10.1016/j.tsf.2008.08.056⟩. ⟨hal-00357298⟩
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