Ge growth over thin SiO2 by UHV-CVD for MOSFET applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2008

Ge growth over thin SiO2 by UHV-CVD for MOSFET applications

C. Renard
  • Fonction : Auteur
Mathieu Halbwax
IEF
D. Cammilleri
  • Fonction : Auteur
F. Fossard
  • Fonction : Auteur
V. Yam
  • Fonction : Auteur
D. Bouchier
  • Fonction : Auteur
IEF
Yunlin Jacques Zheng

Dates et versions

hal-00357298 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

Citer

C. Renard, Mathieu Halbwax, D. Cammilleri, F. Fossard, V. Yam, et al.. Ge growth over thin SiO2 by UHV-CVD for MOSFET applications. Thin Solid Films, 2008, 517, pp.401-403. ⟨10.1016/j.tsf.2008.08.056⟩. ⟨hal-00357298⟩
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