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Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2008

Gold nanoparticle-pentacene memory-transistors

C. Novembre
  • Fonction : Auteur
David Guérin
K. Lmimouni
C. Gamrat
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur

Résumé

We demonstrate an organic memory-transistor device based on a pentacene-gold nanoparticles active layer. Gold (Au) nanoparticles are immobilized on the gate dielectric (silicon dioxide) of a pentacene transistor by an amino-terminated self-assembled monolayer. Under the application of writing and erasing pulses on the gate, large threshold voltage shift (22 V) and on/off drain current ratio of ~3x104 are obtained. The hole field-effect mobility of the transistor is similar in the on and off states (less than a factor 2). Charge retention times up to 4500 s are observed. The memory effect is mainly attributed to the Au nanoparticles
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00357285 , version 1 (15-07-2022)

Identifiants

Citer

C. Novembre, David Guérin, K. Lmimouni, C. Gamrat, D. Vuillaume. Gold nanoparticle-pentacene memory-transistors. Applied Physics Letters, 2008, 92, pp.103314-1-3. ⟨10.1063/1.2896602⟩. ⟨hal-00357285⟩

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