Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2008

Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs biased for low power or high gain

M. Borg
  • Fonction : Auteur
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Yannick Roelens
Gilles Dambrine
A. Cappy
J. Grahn
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00356942 , version 1 (29-01-2009)

Identifiants

Citer

M. Borg, E. Lefebvre, M. Malmkvist, L. Desplanque, X. Wallart, et al.. Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs biased for low power or high gain. Solid-State Electronics, 2008, 52, pp.775-781. ⟨10.1016/j.sse.2007.12.002⟩. ⟨hal-00356942⟩
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