High-frequency noise performance of 60-nm gate-length FinFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2008

High-frequency noise performance of 60-nm gate-length FinFETs

J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
G. Pailloncy
  • Fonction : Auteur
D. Lederer
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
S. Decoutere
  • Fonction : Auteur
A. Mercha
  • Fonction : Auteur
B. Parvais
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00356670 , version 1 (28-01-2009)

Identifiants

Citer

J.P. Raskin, G. Pailloncy, D. Lederer, Francois Danneville, Gilles Dambrine, et al.. High-frequency noise performance of 60-nm gate-length FinFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2718-2727. ⟨10.1109/TED.2008.2003097⟩. ⟨hal-00356670⟩
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