Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00356670
Soumis le : mercredi 28 janvier 2009-11:02:44
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
J.P. Raskin, G. Pailloncy, D. Lederer, Francois Danneville, Gilles Dambrine, et al.. High-frequency noise performance of 60-nm gate-length FinFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2718-2727. ⟨10.1109/TED.2008.2003097⟩. ⟨hal-00356670⟩
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