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Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2008

MOSFETs RF noise optimization via channel engineering

T.C. Lim
  • Fonction : Auteur
R. Valentin
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00356661 , version 1 (28-01-2009)

Identifiants

Citer

T.C. Lim, R. Valentin, Gilles Dambrine, Francois Danneville. MOSFETs RF noise optimization via channel engineering. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29, pp.118-121. ⟨10.1109/LED.2007.911293⟩. ⟨hal-00356661⟩
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