Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2008
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00356661
Soumis le : mercredi 28 janvier 2009-11:02:07
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
T.C. Lim, R. Valentin, Gilles Dambrine, Francois Danneville. MOSFETs RF noise optimization via channel engineering. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29, pp.118-121. ⟨10.1109/LED.2007.911293⟩. ⟨hal-00356661⟩
Collections
18
Consultations
0
Téléchargements