A combined FEG-SEM and TEM study of silicon nanodot assembly - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue European Physical Journal: Applied Physics Année : 2008

A combined FEG-SEM and TEM study of silicon nanodot assembly

P. Donnadieu
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
F. Roussel
  • Fonction : Auteur
V. Cocheteau
  • Fonction : Auteur
B. Caussat
  • Fonction : Auteur
P. Mur
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E. Scheid
  • Fonction : Auteur

Domaines

Matériaux Génie des procédés

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Soumis le : lundi 19 janvier 2009-16:08:18

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

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Dates et versions

hal-00354359 , version 1 (19-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00354359 , version 1

Citer

P. Donnadieu, F. Roussel, V. Cocheteau, B. Caussat, P. Mur, et al.. A combined FEG-SEM and TEM study of silicon nanodot assembly. European Physical Journal: Applied Physics, 2008, 44 (1), pp.11-19. ⟨hal-00354359⟩

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