Crystal reorganization upon annealing of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2003

Crystal reorganization upon annealing of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy.

A. Hierro
  • Fonction : Auteur
J.-M. Ulloa
  • Fonction : Auteur
A. Trampert
  • Fonction : Auteur
J.-M. Chauveau
M.-A. Pinault
A. Guzman
  • Fonction : Auteur
J.L. Sanchez-Rojas
  • Fonction : Auteur
E. Calleja
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique
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Dates et versions

hal-00327145 , version 1 (07-10-2008)

Identifiants

Citer

A. Hierro, J.-M. Ulloa, A. Trampert, J.-M. Chauveau, M.-A. Pinault, et al.. Crystal reorganization upon annealing of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy.. Journal of Applied Physics, 2003, 94 (4), pp.2319 - 2324. ⟨10.1063/1.1591416⟩. ⟨hal-00327145⟩
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