Silicon dioxide or silicon nitride as gate insulator of low temperature (T<200°C) processed microcrystalline silicon thin film transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00316546 , version 1 (03-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00316546 , version 1

Citer

Khaled Belarbi, Khalid Kandoussi, Claude Simon, Nathalie . Coulon, Tayeb Mohammed-Brahim. Silicon dioxide or silicon nitride as gate insulator of low temperature (T<200°C) processed microcrystalline silicon thin film transistors. European MRS Spring meeting, Symposium E,, May 2008, Strasbourg, France. ⟨hal-00316546⟩
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